Defect structure relaxation process in the Si-SiO2 system

Kropman, D.; Abru, U.; Karner, T. (2000). Defect structure relaxation process in the Si-SiO2 system. Applied Surface Science, 166, 475−479.
ajakirjaartikkel
Kropman, D.; Abru, U.; Karner, T.
  • Inglise
Applied Surface Science
Elsevier Science BV
0169-4332
166
2000
475479
5
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile

Lisainfo

Article
ISI Web of Science