See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Influence of single and double deposition temperatures on the interface quality of atomic layer deposited Al2O3 dielectric thin films on silicon

Dueñas, S.; Castán, H.; García, H.; Castro, A.; Bailón, L.; Kukli, K.; Aidla, A.; Aarik, J.; Mändar, H.; Uustare, T.; Lu, J.; Hårsta, A. (2006). Influence of single and double deposition temperatures on the interface quality of atomic layer deposited Al2O3 dielectric thin films on silicon. Journal of Applied Physics, 99 (5), 054902 -1−054902-8.
ajakirjaartikkel
Dueñas, S.; Castán, H.; García, H.; Castro, A.; Bailón, L.; Kukli, K.; Aidla, A.; Aarik, J.; Mändar, H.; Uustare, T.; Lu, J.; Hårsta, A.
Journal of Applied Physics
99
5
2006
054902 -1054902-8
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile