Influence of single and double deposition temperatures on the interface quality of atomic layer deposited Al2O3 dielectric thin films on silicon

Dueñas, S.; Castán, H.; García, H.; Castro, A.; Bailón, L.; Kukli, K.; Aidla, A.; Aarik, J.; Mändar, H.; Uustare, T.; Lu, J.; Hårsta, A. (2006). Influence of single and double deposition temperatures on the interface quality of atomic layer deposited Al2O3 dielectric thin films on silicon. Journal of Applied Physics, 99 (5), 054902 -1−054902-8.
ajakirjaartikkel
Dueñas, S.; Castán, H.; García, H.; Castro, A.; Bailón, L.; Kukli, K.; Aidla, A.; Aarik, J.; Mändar, H.; Uustare, T.; Lu, J.; Hårsta, A.
Journal of Applied Physics
99
5
2006
054902 -1054902-8
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile