See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interface

Kropman, D.; Mellikov, E.; Lott, K.; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, T.; Medvid, A.; Skorupa, W.; Prucnal, S.; Zvyagin, S.; Cizmar, E.; Ozerov, M.; Woznitsa, J. (2010). Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interface. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XIII, 145−148.
artikkel ajakirjas
Kropman, D.; Mellikov, E.; Lott, K.; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, T.; Medvid, A.; Skorupa, W.; Prucnal, S.; Zvyagin, S.; Cizmar, E.; Ozerov, M.; Woznitsa, J.
  • Inglise
Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XIII
1012-0394
Solid State Phenomena
2010
145148
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Teadmata

Viited terviktekstile