Atomic layer deposition of high capacitance density Ta2O5–ZrO2 based dielectrics for metal–insulator–metal structures

Jõgi, I., Kukli, K., Ritala, M., Leskelä, M., Aarik, J., Aidla, A., Lu, J. (2010). Atomic layer deposition of high capacitance density Ta2O5–ZrO2 based dielectrics for metal–insulator–metal structures. Microelectronic Engineering, 87 (2), 144−149.10.1016/j.mee.2009.06.032.
ajakirjaartikkel
Jõgi, I., Kukli, K., Ritala, M., Leskelä, M., Aarik, J., Aidla, A., Lu, J.
  • Inglise
Suure mahtuvustihedusega Ta2O5-ZrO2 baseeruvate dielektrikukihtide aatomkihtsadestamine metall-isolaator-metall struktuuride jaoks
Atomic layer deposition of high capacitance density Ta2O5–ZrO2 based dielectrics for metal–insulator–metal structures
Microelectronic Engineering
0167-9317
87
2
2010
144149
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile

dx.doi.org/10.1016/j.mee.2009.06.032