See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Modeling of the impact of parameter spread on the switching performance of parallel-connected SiC VJFETs

Lim, J.-K.; Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Bakowski, M.; Nee, H.-P. (2013). Modeling of the impact of parameter spread on the switching performance of parallel-connected SiC VJFETs. Lebedev, AA; Davydov, SY; Ivanov, PA; Levinshtein, ME. SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 (1098−1102). . Trans Tech Publications Ltd. (Materials Science Forum ).
artikkel / peatükk kogumikus
Lim, J.-K.; Peftitsis, D.; Rabkowski, J.; Bakowski, M.; Nee, H.-P.
Modeling of the impact of parameter spread on the switching performance of parallel-connected SiC VJFETs
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012
Lebedev, AA; Davydov, SY; Ivanov, PA; Levinshtein, ME
Trans Tech Publications Ltd
740-742
Materials Science Forum
2013
10981102
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Teadmata

Viited terviktekstile

Seotud asutused

Lisainfo

000319785500262