See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Low-temperature deposition of stoichiometric HfO2 on silicon: Analysis and Quantification of the HfO2/Si interface from electrical and XPS measurements

Rudenja, Sergei; Minko, Auxence; Buchanan, Douglas (2010). Low-temperature deposition of stoichiometric HfO2 on silicon: Analysis and Quantification of the HfO2/Si interface from electrical and XPS measurements. Applied Surface Science, 257, 17−21.
artikkel ajakirjas
Rudenja, Sergei; Minko, Auxence; Buchanan, Douglas
  • Inglise
Applied Surface Science
257
2010
1721
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile

Seotud asutused

Lisainfo