Influence of carrier gas pressure and flow rate on atomic layer deposition of HfO2and ZrO2 thin films

Aarik, J.; Aidla, A.; Kasikov, A.; Mändar, H.; Rammula, R.; Sammelselg, V. (2006). Influence of carrier gas pressure and flow rate on atomic layer deposition of HfO2and ZrO2 thin films. Applied Surface Science, 252 (16), 5723−5734.
ajakirjaartikkel
Aarik, J.; Aidla, A.; Kasikov, A.; Mändar, H.; Rammula, R.; Sammelselg, V.
  • Inglise
Applied Surface Science
252
16
2006
57235734
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile