On the kinetics of the generation of point defects in the Si-SiO2 system

Kropman, D.; Dolgov, S.; Karner, T. (1996). On the kinetics of the generation of point defects in the Si-SiO2 system. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 62 (5), 469−472.
ajakirjaartikkel
Kropman, D.; Dolgov, S.; Karner, T.
  • Inglise
Applied Physics A-Materials Science & Processing
Springer Verlag
0947-8396
62
5
1996
469472
4
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
WOS

Viited terviktekstile

Lisainfo

Article
ISI Web of Science